SI4505DY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4505DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30V, 8V
额定功率Max 1.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4505DY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI4505DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4505DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4505DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4505DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4505DY-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A ID, 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | SI4505DY-T1-E3和SI4505DY-T1的区别 |