SI4505DY-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V，8V 6A，3.8A 1.2W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

贸泽:
MOSFET 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V

SI4505DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

通道数 2

漏源极电压Vds 30V, 8V

额定功率Max 1.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4505DY-T1-GE3引脚图与封装图

暂无图片

在线购买SI4505DY-T1-GE3

型号	制造商	描述	购买
SI4505DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC	搜索库存