SI1033X-T1-E3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET P-CH 20V 145mA SOT563F

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 145mA 250mW 表面贴装型 SC-89-6

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SOT563F

贸泽:
MOSFET 20V 0.15A

SI1033X-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 8.00 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 280 mW

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 -20.0 V

栅源击穿电压 ±5.00 V

连续漏极电流Ids -500 mA

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-89-6

外形尺寸

长度 1.66 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 SC-89-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI1033X-T1-E3引脚图与封装图

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