SQ4284EY-T1_GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
主动器件
SQ4284EY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 3.9 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQ4284EY-T1_GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | 搜索库存 |