SI4966DY-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4966DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 20 V
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4966DY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4966DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 20V 7.1A 8Pin SOIC N T/R | 搜索库存 |