STL20DNF06LAG中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 40 mΩ
耗散功率 75 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 15.4 ns
输入电容Ciss 670pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 7.7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
外形尺寸
封装 PowerFLAT-5x6-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
STL20DNF06LAG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买STL20DNF06LAG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STL20DNF06LAG | ST Microelectronics 意法半导体 | Automotive-grade dual N-channel 60V, 27mOhm typ., 20A STripFET II Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 DI package | 搜索库存 |