SI4226DY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4226DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 1255pF @15VVds
额定功率Max 3.2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4226DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4226DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4226DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC | 搜索库存 |