SI4388DY-T1-E3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 10.7A，11.3A 3.3W，3.5W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

DeviceMart:
MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC

SI4388DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 946pF @15VVds

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4388DY-T1-E3引脚图与封装图

暂无图片

在线购买SI4388DY-T1-E3

型号	制造商	描述	购买
SI4388DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC	搜索库存