SI3911DV-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI3911DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 145 mΩ
极性 Dual P-Channel
耗散功率 830 mW
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -2.20 A
额定功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3911DV-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI3911DV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3911DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Transistor MOSFET P-CH 20V 1.8A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |
替代型号SI3911DV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3911DV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 Dual P-Channel 20V 2.2A 145mΩ | 当前型号 | Transistor MOSFET P-CH 20V 1.8A 6Pin TSOP T/R | 当前型号 |
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| 型号： SI3993DV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 P-Channel 30V 2.2A | 类似代替 | MOSFET P-CH DUAL 30V 6-TSOP | SI3911DV-T1-E3和SI3993DV-T1-GE3的区别 |