SI3951DV-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI3951DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -2.70 A
输入电容Ciss 250pF @10VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3951DV-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI3951DV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3951DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP | 搜索库存 |
替代型号SI3951DV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3951DV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 Dual P-Channel 20V 2.7A | 当前型号 | MOSFET P-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP | 当前型号 |
| 型号： SI3951DV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 P-Channel 20V 2.7A | 类似代替 | MOSFET P-CH DUAL 20V 6-TSOP | SI3951DV-T1-E3和SI3951DV-T1-GE3的区别 |