SI3948DV-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI3948DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.175 Ω
耗散功率 1.15 W
漏源极电压Vds 30 V
额定功率Max 1.15 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
高度 1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI3948DV-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3948DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A 6-TSOP | 搜索库存 |
替代型号SI3948DV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3948DV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 | 当前型号 | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A 6-TSOP | 当前型号 |
| 型号： SI3948DV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 | 完全替代 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6-TSOP | SI3948DV-T1-E3和SI3948DV-T1-GE3的区别 |
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| 型号： SI3948DV-T1 品牌： Vishay Siliconix 封装： TSOP N-Channel 2.5A to 2.5A 105mΩ | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A ID, 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSOP-6 | SI3948DV-T1-E3和SI3948DV-T1的区别 |