SI4561DY-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4561DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, P-Channel
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 6.80 A
输入电容Ciss 640pF @20VVds
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4561DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4561DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4561DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4561DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4561DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC N-Channel 40V 6.8A | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4599DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC | SI4561DY-T1-GE3和SI4599DY-T1-GE3的区别 |