SI3585DV-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI3585DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 125 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 830 mW
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
热阻 130℃/W RθJA
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 3.1 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI3585DV-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI3585DV-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI3585DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP | 搜索库存 |
替代型号SI3585DV-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI3585DV-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 N-Channel 20V 19A 125mΩ | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP | 当前型号 |
| 型号： SI3585DV-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SOT-23-6 N-Channel 20V 1.8A | 类似代替 | MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP | SI3585DV-T1-E3和SI3585DV-T1-GE3的区别 |