SIB914DK-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIB914DK-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 3.1 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 8 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
输入电容Ciss 125pF @4VVds
额定功率Max 3.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-75-6L
外形尺寸
封装 SC-75-6L
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIB914DK-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SIB914DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 | 搜索库存 |