SIA911DJ-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SIA911DJ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 355pF @10VVds
额定功率Max 6.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIA911DJ-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SIA911DJ-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIA911DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SIA911DJ-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIA911DJ-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 当前型号 | MOSFET DUAL P-CH 20V SC70-6 | 当前型号 |
| 型号： SIA911DJ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual P-Channel 20V 4.5A | 完全替代 | MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V | SIA911DJ-T1-E3和SIA911DJ-T1-GE3的区别 |
| 型号： SIA911ADJ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 类似代替 | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 | SIA911DJ-T1-E3和SIA911ADJ-T1-GE3的区别 |