SI7911DN-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI7911DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -5.70 A
额定功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 1212-8
外形尺寸
封装 1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI7911DN-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI7911DN-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI7911DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 | 搜索库存 |
替代型号SI7911DN-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI7911DN-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual P-Channel 20V 5.7A | 当前型号 | MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8 | 当前型号 |
| 型号： SI7911DN-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 完全替代 | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 | SI7911DN-T1-E3和SI7911DN-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI7913DN-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual P-Channel 20V 7.4A | 类似代替 | Dual P-Channel 20V 0.037Ω Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8 | SI7911DN-T1-E3和SI7913DN-T1-E3的区别 |
| 型号： SI7913DN-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR P-Channel 20V 7.4A | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8Pin PowerPAK 1212 T/R | SI7911DN-T1-E3和SI7913DN-T1-GE3的区别 |