SI1553DL-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1553DL-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.385 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 0.27 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20.0 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 660 mA
额定功率Max 270 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1553DL-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI1553DL-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1553DL-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SI1553DL-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1553DL-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP N-Channel 20V 660mA 385mΩ | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | 当前型号 |
| 型号： SI1551DL-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP N-Channel 20V 300mA 1.9Ω | 类似代替 | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 | SI1553DL-T1-E3和SI1551DL-T1-E3的区别 |
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