SI1563DH-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI1563DH-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 740 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 1.13 A, 1.28 A
额定功率Max 570 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
SI1563DH-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1563DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | 搜索库存 |
替代型号SI1563DH-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1563DH-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP N-Channel 20V 1.13A 490mΩ | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | 当前型号 |
| 型号： SI1563DH-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | SI1563DH-T1-E3和SI1563DH-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI1563EDH-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | SI1563DH-T1-E3和SI1563EDH-T1-GE3的区别 |