SI9926BDY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI9926BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.03 Ω
耗散功率 1.14 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
热阻 90℃/W RθJA
额定功率Max 1.14 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9926BDY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI9926BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9926BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI9926BDY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI9926BDY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI9926BDY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC Dual N-Channel 20V 6.2A | 完全替代 | MOSFET 20V 8.2A 2W 20mohm @ 4.5V | SI9926BDY-T1-E3和SI9926BDY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI9926CDY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8Pin SOIC N T/R | SI9926BDY-T1-E3和SI9926CDY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI9926BDY-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： SO N-Channel 6.2A 20mΩ | 功能相似 | MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V | SI9926BDY-T1-E3和SI9926BDY-E3的区别 |