SI6562DQ-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI6562DQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 20 V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI6562DQ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI6562DQ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6562DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | 搜索库存 |
替代型号SI6562DQ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI6562DQ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | 当前型号 |
| 型号： SI6562DQ-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP N-Channel 20V 4.5A 30mΩ | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP | SI6562DQ-T1-GE3和SI6562DQ-T1-E3的区别 |
| 型号： SI6562CDQ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP | SI6562DQ-T1-GE3和SI6562CDQ-T1-GE3的区别 |