SI6963BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V

MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 20V 3.4A 830mW 表面贴装型 8-TSSOP

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP

贸泽:
MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 45mohm @ 4.5V

DeviceMart:
MOSFET DL P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP

SI6963BDQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1.2 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI6963BDQ-T1-GE3引脚图与封装图

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