SI9933BDY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI9933BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 20 V
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI9933BDY-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI9933BDY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI9933BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET, Power; Dual P-Channel; -20V; 12V; 3.4A; 2W; -55 to 150℃ | 搜索库存 |
替代型号SI9933BDY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI9933BDY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 当前型号 | MOSFET, Power; Dual P-Channel; -20V; 12V; 3.4A; 2W; -55 to 150℃ | 当前型号 |
| 型号： SI9933CDY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC0.154 | 类似代替 | MOSFET, Dual P-CH, Vds 20V, Vgs +/- 20V, Rdson 48mohm, Id 4A, SO8, Pd 3.1W | SI9933BDY-T1-E3和SI9933CDY-T1-GE3的区别 |