SIA511DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 12V 4.5A 6.5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双

得捷:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6

SIA511DJ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 33 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 6.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

输入电容Ciss 400pF @6VVds

额定功率Max 6.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIA511DJ-T1-GE3引脚图与封装图

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