SI5933DC-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI5933DC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids -2.70 A
热阻 0.11℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
长度 3.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5933DC-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI5933DC-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5933DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8 | 搜索库存 |
替代型号SI5933DC-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5933DC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD P-Channel 20V 2.7A 110mΩ | 当前型号 | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.7A 1206-8 | 当前型号 |
| 型号： SI5933CDC-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD | 类似代替 | SI5933CDC-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3A, 20V, 8Pin 1206 ChipFET | SI5933DC-T1-E3和SI5933CDC-T1-GE3的区别 |