SI6925ADQ-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI6925ADQ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, Dual N-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.90 A
额定功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI6925ADQ-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI6925ADQ-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6925ADQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP | 搜索库存 |
替代型号SI6925ADQ-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI6925ADQ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP N-Channel 20V 3.9A | 当前型号 | MOSFET DL N-CH 20V 3.9A 8-TSSOP | 当前型号 |
| 型号： NTUD3169CZT5G 品牌： 安森美 封装： SOT963 N-Channel 20V 280mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTUD3169CZT5G. 场效应管, MOSFET, N+P沟道, 20V, SOT-963 | SI6925ADQ-T1-GE3和NTUD3169CZT5G的区别 |