SI7501DN-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
漏源极电压Vds 30 V
额定功率Max 1.6 W
安装方式 Surface Mount
封装 1212-8
封装 1212-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI7501DN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI7501DN-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAKR | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | 当前型号 | |
型号: SI7501DN-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: PowerPAKR N-Channel 30V | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 | SI7501DN-T1-E3和SI7501DN-T1-GE3的区别 |