SI5511DC-T1-E3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 4A，3.6A 3.1W，2.6W 表面贴装型 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

SI5511DC-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel, P-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

输入电容Ciss 435pF @15VVds

额定功率Max 3.1W, 2.6W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI5511DC-T1-E3引脚图与封装图

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