SI5943DU-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI5943DU-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 12 V
输入电容Ciss 460pF @6VVds
额定功率Max 8.3 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAKR ChipFET? Dual
外形尺寸
封装 PowerPAKR ChipFET? Dual
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5943DU-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI5943DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 12V 6A 8PWRPAK | 搜索库存 |