SI6928DQ-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI6928DQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 50.0 mΩ
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1.00 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.00 A
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
SI6928DQ-T1-E3引脚图与封装图
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在线购买SI6928DQ-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6928DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 4A 8TSSOP | 搜索库存 |
替代型号SI6928DQ-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI6928DQ-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP N-Channel 30V 4A 50mΩ | 当前型号 | MOSFET N-CH DUAL 30V 4A 8TSSOP | 当前型号 |
| 型号： SI6928DQ-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP | 完全替代 | MOSFET Dual N-Ch MOSFET 30V 35mohm @ 10V | SI6928DQ-T1-E3和SI6928DQ-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI6954ADQ-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-TSSOP N-Channel 30V 3.4A 63mΩ | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 30V 3.1A 8Pin TSSOP T/R | SI6928DQ-T1-E3和SI6954ADQ-T1-E3的区别 |
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