SI6966EDQ-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI6966EDQ-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.04 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
热阻 115℃/W RθJA
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
外形尺寸
长度 4.5 mm
宽度 3 mm
高度 1.05 mm
封装 TSSOP-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI6966EDQ-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI6966EDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET; 20V, N-Channel 40MOHM 2.5V ESD Trench | 搜索库存 |