SI5915BDC-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
漏源极电压Vds 8 V
输入电容Ciss 420pF @4VVds
额定功率Max 3.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
封装 SMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI5915BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI5915BDC-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SMD | 当前型号 | MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 | 当前型号 | |
型号: SI5935CDC-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SMD | 类似代替 | TRANSISTOR 4000mA, 20V, 2Channel, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, 1206-8, CHIPFET-8, FET General Purpose Small Signal | SI5915BDC-T1-GE3和SI5935CDC-T1-GE3的区别 |