SI5903DC-T1-GE3

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

得捷:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8

贸泽:
MOSFET DUAL P-CH 2.5V G-S RATED

SI5903DC-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 20 V

额定功率Max 1.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI5903DC-T1-GE3引脚图与封装图

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替代型号SI5903DC-T1-GE3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SI5903DC-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD	当前型号	MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8	当前型号
型号： SI5903DC-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SMD Dual P-Channel 20V 2.9A 155mΩ	完全替代	MOSFET 20V 2.9A 2.1W	SI5903DC-T1-GE3和SI5903DC-T1-E3的区别
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