SI5947DU-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI5947DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -6.00 A
输入电容Ciss 480pF @10VVds
额定功率Max 10.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPak-8
外形尺寸
封装 PowerPak-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI5947DU-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI5947DU-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI5947DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 20V 6A 10.4W | 搜索库存 |
替代型号SI5947DU-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI5947DU-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR Dual P-Channel 20V 6A | 当前型号 | MOSFET 20V 6A 10.4W | 当前型号 |
| 型号： SI5947DU-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 类似代替 | MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK | SI5947DU-T1-GE3和SI5947DU-T1-E3的区别 |
| 型号： SI5999EDU-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： PowerPAKR | 功能相似 | MOSFET 2P-CH 20V 6A POWERPAK | SI5947DU-T1-GE3和SI5999EDU-T1-GE3的区别 |