SI4650DY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4650DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1550pF @15VVds
额定功率Max 3.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4650DY-T1-E3引脚图与封装图
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| SI4650DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC | 搜索库存 |