SI3529DV-T1-GE3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI3529DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.15 W
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 205pF @20VVds
额定功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI3529DV-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI3529DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP | 搜索库存 |