极性 Dual P-Channel
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -4.80 A
额定功率Max 830 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI6981DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI6981DQ-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP Dual P-Channel 20V 4.8A | 当前型号 | MOSFET P-CH D-S 20V 8-TSSOP | 当前型号 | |
型号: SI6913DQ-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP | 类似代替 | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP | SI6981DQ-T1-GE3和SI6913DQ-T1-E3的区别 | |
型号: SI6913DQ-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 12V 4.9A 8Pin TSSOP T/R | SI6981DQ-T1-GE3和SI6913DQ-T1-GE3的区别 | |
型号: SI9407BDY-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOIC | 类似代替 | Trans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8Pin SOIC N T/R | SI6981DQ-T1-GE3和SI9407BDY-T1-E3的区别 |