SI1972DH-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI1972DH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 75pF @15VVds
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-6
外形尺寸
封装 SC-70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI1972DH-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI1972DH-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1972DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 30V 1.3A 6Pin SC-70 T/R | 搜索库存 |
替代型号SI1972DH-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI1972DH-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 1.3A 6Pin SC-70 T/R | 当前型号 |
| 型号： SI1972DH-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP | 完全替代 | MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 | SI1972DH-T1-GE3和SI1972DH-T1-E3的区别 |
| 型号： SI1900DL-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 6-TSSOP N-Channel 30V 630mA 480mΩ | 类似代替 | TRANSISTOR 590mA, 30V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6Pin, FET General Purpose Small Signal | SI1972DH-T1-GE3和SI1900DL-T1-E3的区别 |
| 型号： FDG6335N 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-363 N-Channel 20V 700mA 300mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V | SI1972DH-T1-GE3和FDG6335N的区别 |