
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 28 V
连续漏极电流Ids 4.60 A
额定功率Max 1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SI6924AEDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SI6924AEDQ-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP N-Channel 28V 4.6A | 当前型号 | MOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOP | 当前型号 | |
型号: SI6968BEDQ-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP | 类似代替 | TRANSISTOR 5200mA, 20V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal | SI6924AEDQ-T1-GE3和SI6968BEDQ-T1-E3的区别 | |
型号: SI3455ADV-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TSOP P-Channel 30V 3.5A 100mΩ | 功能相似 | MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-TSOP | SI6924AEDQ-T1-GE3和SI3455ADV-T1-E3的区别 | |
型号: SI3457CDV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TSOP | 功能相似 | VISHAY SILICONIX SI3457CDV-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.1A, -30V, 60mohm, -10V, -1V | SI6924AEDQ-T1-GE3和SI3457CDV-T1-GE3的区别 |