SI4933DY-T1-E3
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Vishay Siliconix
分立器件
SI4933DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.10 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids -7.40 A
额定功率Max 1.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
SI4933DY-T1-E3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI4933DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 12V 7.4A 8-SOIC | 搜索库存 |