漏源极电阻 80.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.14 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -2.90 A to 2.90 A
上升时间 9 ns
额定功率Max 830 mW
下降时间 9 ns
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI6955ADQ-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI6955ADQ-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP P-Channel 2.9A to 2.9A 80mΩ | 当前型号 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP | 当前型号 | |
型号: SI6955ADQ-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-TSSOP | 完全替代 | MOSFET P-CH D-S 30V 8-TSSOP | SI6955ADQ-T1-E3和SI6955ADQ-T1-GE3的区别 | |
型号: SI6955ADQ-T1 品牌: Vishay Siliconix 封装: TSSOP | 功能相似 | MOSFET 30V 2.9A | SI6955ADQ-T1-E3和SI6955ADQ-T1的区别 |