SI4992EY-T1-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4992EY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 75 V
连续漏极电流Ids 4.80 A
额定功率Max 1.4 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4992EY-T1-GE3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4992EY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 75V 4.8A 2.4W 48mohm @ 10V | 搜索库存 |