
击穿电压 40 V
输入电容Ciss 7pF @15VVds
额定功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SST5462-T1-E3 | Vishay Siliconix | JFET P-CH 55V 4mA SOT-23 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SST5462-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-236-3 | 当前型号 | JFET P-CH 55V 4mA SOT-23 | 当前型号 | |
型号: MMBF5460 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 225mW | 功能相似 | ON Semiconductor MMBF5460 P通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: -1 → -5mA, 3引脚 SOT-23封装 | SST5462-T1-E3和MMBF5460的区别 | |
型号: MMBF5462 品牌: 安森美 封装: | 功能相似 | P 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 | SST5462-T1-E3和MMBF5462的区别 | |
型号: MMBF5461 品牌: 安森美 封装: SOT-23-3 225mW | 功能相似 | ON Semiconductor MMBF5461 P通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: -2 → -9mA, 3引脚 SOT-23封装 | SST5462-T1-E3和MMBF5461的区别 |