漏源极电阻 34 mΩ
耗散功率 3.75W Ta, 107W Tc
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 107W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SUM40N10-30-E3引脚图
SUM40N10-30-E3封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SUM40N10-30-E3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3Pin2+Tab TO-263 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SUM40N10-30-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3Pin2+Tab TO-263 | 当前型号 | |
型号: SUM60N10-17-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-263-3 | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3Pin2+Tab TO-263 | SUM40N10-30-E3和SUM60N10-17-E3的区别 | |
型号: SUM60N10-17 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-263 N-Channel 60A 19mΩ | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | SUM40N10-30-E3和SUM60N10-17的区别 |