SIGC121T120R2CS
Infineon
英飞凌
分立器件
SIGC121T120R2CS中文资料参数规格
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
IC max 75.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 0.06ns
VCEsat max 3.7 V
ICpuls max 225.0A
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 sawn on foil
tf 0.03 ns
VGEth min max 4.5 V 6.5 V
Technology IGBT2 Fast
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIGC121T120R2CS引脚图与封装图
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