S29GL512P11TAI010中文资料参数规格
技术参数
电源电压 2.7V ~ 3.6V
封装参数
封装 TFSOP-56
外形尺寸
封装 TFSOP-56
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
S29GL512P11TAI010引脚图与封装图 
S29GL512P11TAI010引脚图
S29GL512P11TAI010封装图
S29GL512P11TAI010封装焊盘图
在线购买S29GL512P11TAI010
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| S29GL512P11TAI010 | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 110ns 56Pin TSOP Tray | 搜索库存 |
替代型号S29GL512P11TAI010
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： S29GL512P11TAI010 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： HTSSOP | 当前型号 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 110ns 56Pin TSOP Tray | 当前型号 |
| 型号： S29GL512P10TFI010 品牌： 赛普拉斯 封装： TSSOP | 类似代替 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 56Pin TSOP Tray | S29GL512P11TAI010和S29GL512P10TFI010的区别 |
| 型号： S29GL512P11TFI010 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP 64000000B | 功能相似 | Cypress Semiconductor Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。 | S29GL512P11TAI010和S29GL512P11TFI010的区别 |
| 型号： S29GL512P10TFCR10 品牌： 赛普拉斯 封装： TSOP-56 64000000B 3V | 功能相似 | NOR Flash Parallel 3.3V 512Mbit 64M/32M x 8Bit/16Bit 100ns 56Pin TSOP Tray | S29GL512P11TAI010和S29GL512P10TFCR10的区别 |