SIGC16T120CL
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Infineon
英飞凌
分立器件
SIGC16T120CL中文资料参数规格
其他
IC max 8.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 40.0ns
VCEsat max 2.6 V
ICpuls max 24.0A
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 sawn on foil
tf 60.0ns
VGEth min max 4.5 V 6.5 V
Technology IGBT2 Low Loss
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIGC16T120CL引脚图与封装图
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