漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 450 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 3.00 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI3588DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI3588DV-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 N-Channel 20V 3A 80mΩ | 当前型号 | Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6Pin TSOP T/R | 当前型号 | |
型号: SI3586DV-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP | SI3588DV-T1-E3和SI3586DV-T1-E3的区别 | |
型号: SI3588DV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 N-Channel 20V | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP | SI3588DV-T1-E3和SI3588DV-T1-GE3的区别 | |
型号: SI3850ADV-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-23-6 N-Channel 20V | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6-TSOP | SI3588DV-T1-E3和SI3850ADV-T1-GE3的区别 |