SIGC16T120CS
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
SIGC16T120CS中文资料参数规格
其他
VGEth min max 3.0 V 5.0 V
tdon 27.0ns
IC max 8.0A
漏源极电压Vds 1200V
tr 29.0ns
VCEsat max 3.6 V
ICpuls max 24.0A
工作温度 -55.0 °C 150.0 °C
封装/外壳 sawn on foil
tf 21.0ns
tdoff 440.0ns
Technology IGBT2 Fast
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
SIGC16T120CS引脚图与封装图
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