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STPSC20065DI

STPSC20065DI

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STPSC20065DI  新

碳化硅 SiC 肖特基,STMicroelectronics

碳化硅 SiC 二极管是一个超高性能功率肖特基整流器。

• 无或可忽略的反向恢复

• 切换行为不受温度影响

• 专用于 PFC 应用

• 高正向浪涌能力


欧时:
SiC Schottky Diode 650V 20A Isol TO220AC


得捷:
DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS


e络盟:
Silicon Carbide Schottky Diode, Single, 650 V, 20 A, 62 nC, TO-220AC


艾睿:
Diode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin2+Tab TO-220AC Ins Tube


安富利:
650 V power Schottky silicon carbide diode


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STPSC20065DI  SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE, 650V


STPSC20065DI中文资料参数规格
技术参数

正向电流 20 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 400 A

正向电压Max 1.65 V

正向电流Max 20 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.9 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

符合标准

RoHS标准

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STPSC20065DI引脚图与封装图
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