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STL190N4F7AG

STL190N4F7AG

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STL190N4F7AG  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.00168 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics

STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT


欧时:
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL190N4F7AG, 120 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerFLAT封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin PowerFLAT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin Power Flat EP T/R


Newark:
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, POWERFLAT-8


儒卓力:
**N-CH 40V 120A 2mOhm PFlat 5x6 **


STL190N4F7AG中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.00168 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 127 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 6.4 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

下降时间 6.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 127000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

宽度 6.1 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

STL190N4F7AG引脚图与封装图
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STL190N4F7AG ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STL190N4F7AG  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.00168 ohm, 10 V, 4 V 新 搜索库存